- 品牌：
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- IXYS (17)
- ON Semiconductor (2)
- Sanken (4)
- STMicroelectronics (10)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 反向恢复时间（trr）：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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58 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 125W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 125W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 125W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 30A 150W TO... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1000V 30A 150W TO... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1000V 30A 150W TO... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | IGBT 1200V 30A 245W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | 400V 30A IGNITION I... |
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1 | 2,482 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | 400V 30A IGNITION I... |
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1 | 2,482 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | 400V 30A IGNITION I... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 125W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A 156W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 125W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | IGBT 420V 30A 150W I2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 30A 150W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | IGBT 420V 30A 150W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Sanken | IGBT 600V 30A 60W TO3... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Sanken | IGBT 600V 30A 60W TO3... |
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1,080 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 30A 150W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 600V 30A TO3P |
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1 | 580 | 提交询价 |
