- 品牌：
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- IXYS (33)
- ON Semiconductor (17)
- Sanken (2)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 反向恢复时间（trr）：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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92 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A COPAK... |
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400 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER |
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968 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 50A 250W TO... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1000V 50A 156W TO... |
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1 | 137 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | IGBT 1200V 50A 192.3W T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | IGBT 1200V-X TO247 TU... |
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450 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 179W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | POWER MOSFET TO-3 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 50A 250W TO... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1250V 50A 250W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W T... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 40W TO-... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 122W LD... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | IGBT 1200V 50A 245W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 50A 250W TO... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 50A TO-247 |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W T... |
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1 | 5 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 25A 1200V TO-247 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 192W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 600V 50A 240W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 |
