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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
封装/外壳：
24-PowerSMD，21 引线
(1)
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
(2)
供应商器件封装：
24-SMPD
(1)
TO-263
(1)
TO-263AA
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
-
(1)
400A
(1)
75A
(1)
功率 - 最大值：
1000W
(1)
190W
(1)
220W
(1)
测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
(1)
480V，100A，1 欧姆，15V
(1)
480V，24A，10 欧姆，15V
(1)
反向恢复时间（trr）：
23ns
(1)
26ns
(1)
66ns
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.4V @ 15V，24A
(1)
1.4V @ 15V，30A
(1)
1.5V @ 15V，100A
(1)
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
1000A
(1)
170A
(1)
200A
(1)
开关能量：
2.7mJ（开），5mJ（关）
(1)
700µJ（开），2.4mJ（关）
(1)
740µJ（开），3mJ（关）
(1)
栅极电荷：
585nC
(1)
66nC
(1)
80nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/300ns
(1)
18ns/330ns
(1)
44ns/250ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ）
IGBT 类型 : PT
包装 : -
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操作
IXGA36N60A3
IXYS
IGBT
¥28.96
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IXGA28N60A3
IXYS
IGBT
¥24.29
50
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IXYS
MOSFET N-CH
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