封装/外壳:
供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
功率 - 最大值:
反向恢复时间(trr):
IGBT 类型:
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
脉冲电流 - 集电极 (Icm):
栅极电荷:
25°C 时 Td(开/关)值:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
HGTP12N60C3 ON Semiconductor
IGBT 600V 24A 104W TO...
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IRG6I320UPBF Infineon Technologies
IGBT 330V 24A 39W TO2...
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HGTG12N60C3D ON Semiconductor
IGBT 600V 24A 104W TO...
¥52.91
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HGTP12N60C3D ON Semiconductor
IGBT 600V 24A 104W TO...
¥30.61
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