晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 - 集管汇电子

包装：

供应商器件封装：

电压 - 集射极击穿（最大值）：

功率 - 最大值：

测试条件：

反向恢复时间（trr）：

IGBT 类型：

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：

栅极电荷：

25°C 时 Td（开/关）值：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IXSH45N100	IXYS	IGBT 1000V 75A 300W TO...		-	1	580	提交询价
	IXGX32N170H1	IXYS	IGBT 1700V 75A 350W PL...		-	1	580	提交询价

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