晶体管 - JFET - 集管汇电子

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：

已选条件：

3 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
2SK880-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W U...	-	1	1,376	提交询价
2SK879-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM	-	1	2,846	提交询价
2SK879-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM	-	1	2,980	提交询价

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