晶体管 - JFET - 集管汇电子

包装：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率 - 最大值：

FET 类型：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：

已选条件：

18 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	2SK3320-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET DUAL N-CH US...		-	1	2,690	提交询价
	2SK3320-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET DUAL N-CH US...		¥6.24	1	2,690	加入购物车提交询价
	2SK3320-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET DUAL N-CH US...		¥2.19	3,000	580	加入购物车提交询价
	2SK2145-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET...		-	1	2,703	提交询价
	2SK2145-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET...		¥5.61	1	2,703	加入购物车提交询价
	2SK2145-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET...		¥1.98	3,000	580	加入购物车提交询价
	2SK2145-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET...		-	1	2,988	提交询价
	2SK2145-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET...		¥5.61	1	2,988	加入购物车提交询价
	2SK2145-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET...		¥1.98	3,000	580	加入购物车提交询价
	2SK879-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM		-	1	2,846	提交询价
	2SK879-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM		¥3.56	1	2,846	加入购物车提交询价
	2SK879-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM		¥1.11	3,000	580	加入购物车提交询价
	2SK879-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM		-	1	2,980	提交询价
	2SK879-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM		¥3.56	1	2,980	加入购物车提交询价
	2SK879-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM		¥1.11	3,000	580	加入购物车提交询价
	2SK2145-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V SMV		-	1	11,716	提交询价
	2SK2145-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V SMV		¥5.61	1	11,716	加入购物车提交询价
	2SK2145-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V SMV		¥1.98	3,000	9,000	加入购物车提交询价

1 / 1 页共 18 条

上一页下一页

深圳市福田区华强北路华强广场C座16A

Copyright ©2019-2027 集管汇电子 All Rights Reserved. 粤ICP备2022145825号-1