- 特性：
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- 逻辑电平 - 低：
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- 逻辑电平 - 高：
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- 不同 V，最大 CL 时的最大传播延迟：
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- 已选条件：
7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | IC GATE NAND SCHM... |
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STMicroelectronics | IC GATE NAND SCHM... |
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STMicroelectronics | IC GATE NAND SCHM... |
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STMicroelectronics | IC GATE NAND 4CH 2... |
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STMicroelectronics | IC GATE NAND 4CH 2... |
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STMicroelectronics | IC GATE NAND 4CH 2... |
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STMicroelectronics | IC GATE NAND 2CH 4... |
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