- 零件状态：
-
- 电压 - 电源：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 存储容量：
-
- 存储器格式：
-
- 写周期时间 - 字，页：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G PARAL... |
-
|
2,000 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G PARAL... |
-
|
1,260 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 2G SPI 133... |
|
1,122 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 2G SPI 133... |
|
2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G PARAL... |
|
960 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC DRAM 128M PARAL... |
|
1,440 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 256M PARA... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G PARAL... |
|
1,260 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC DRAM 128M PARAL... |
|
1,560 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC DRAM 256M PARAL... |
|
1,080 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC DRAM 256M PARAL... |
|
1,560 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC DRAM 128M PARAL... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC DRAM 128M PARAL... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC DRAM 128M PARAL... |
|
1,650 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 128M SPI 2... |
|
2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 256M SPI 1... |
-
|
1,000 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 1G SPI 133... |
-
|
1,000 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 1G SPI 133... |
-
|
2,500 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 1G SPI 133... |
-
|
2,500 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Micron Technology Inc. | IC FLASH 512M PARA... |
-
|
2,000 | 580 | 提交询价 |
