产品概览

产品型号
RN2317(TE85L,F)
现有数量
2,565
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
产品描述
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

文档与媒体

数据列表
RN2317(TE85L,F)

产品详情

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
300mV @ 250µA,5mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
30 @ 10mA,5V
供应商器件封装 :
USM
功率 - 最大值 :
100mW
包装 :
剪切带(CT)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
SC-70,SOT-323
晶体管类型 :
PNP - 预偏压
电压 - 集射极击穿(最大值) :
50V
电流 - 集电极截止(最大值) :
500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
100mA
电阻器 - 发射极基底(R2) :
4.7 kOhms
电阻器 - 基底(R1) :
10 kOhms
系列 :
-
零件状态 :
在售
频率 - 跃迁 :
200MHz

采购与价格

您可能在找

推荐产品