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EPC2012C

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

+6V，-4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

100 毫欧 @ 3A，5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

140pF @ 100V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

1.3nC @ 5V

供应商器件封装 :

模具剖面（4 焊条）

功率耗散（最大值） :

-

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

模具

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss） :

200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

5A（Ta）

系列 :

eGaN®

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

5V