产品概览
- 产品型号
- NDS355N
- 现有数量
- 29,280
- 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单
- 产品描述
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
文档与媒体
- 数据列表
- NDS355N
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 85 毫欧 @ 1.9A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 245pF @ 10V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 5nC @ 5V
- 供应商器件封装 :
- SuperSOT-3
- 功率耗散(最大值) :
- 500mW(Ta)
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 1.6A(Ta)
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与价格
您可能在找
- NDS331N ¥0.77
- NDS331N ¥3.56
- NDS331N
- NDS331N_D87Z
- NDS332P ¥0.87
推荐产品
- NDS331N ¥0.77
- NDS331N ¥3.56
- NDS331N
- NDS331N_D87Z
- NDS332P ¥0.87