产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IXFK140N25T
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 5V @ 4mA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 17 毫欧 @ 60A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 19000pF @ 25V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 255nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-264AA(IXFK)
- 功率耗散(最大值) :
- 960W(Tc)
- 包装 :
- 管件
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-264-3,TO-264AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 250V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 140A(Tc)
- 系列 :
- GigaMOS™
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与价格
您可能在找
- IXFK100N10 ¥141.19
- IXFK100N25 ¥127.16
- IXFK100N65X2 ¥104.41
- IXFK102N30P ¥87.16
- IXFK110N07 ¥103.54
推荐产品
- IXFK100N10 ¥141.19
- IXFK100N25 ¥127.16
- IXFK100N65X2 ¥104.41
- IXFK102N30P ¥87.16
- IXFK110N07 ¥103.54