产品概览

产品型号
TC58NYG2S0HBAI6
现有数量
336
制造商
Toshiba Memory America, Inc.
产品类别
存储器
产品描述
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

文档与媒体

数据列表
TC58NYG2S0HBAI6

产品详情

供应商器件封装 :
67-VFBGA(6.5x8)
写周期时间 - 字,页 :
25ns
包装 :
托盘
存储器接口 :
并联
存储器格式 :
闪存
存储器类型 :
非易失
存储容量 :
4Gb (512M x 8)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
67-VFBGA
工作温度 :
-40°C ~ 85°C(TA)
技术 :
FLASH - NAND(SLC)
时钟频率 :
-
电压 - 电源 :
1.7V ~ 1.95V
系列 :
-
访问时间 :
25ns
零件状态 :
在售

采购与价格

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