产品概览

产品型号
FDFMA2N028Z
现有数量
6,530
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2

文档与媒体

数据列表
FDFMA2N028Z

产品详情

FET 功能 :
肖特基二极管(隔离式)
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±12V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
1.5V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
455pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
6nC @ 4.5V
供应商器件封装 :
6-MicroFET(2x2)
功率耗散(最大值) :
1.4W(Tj)
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
6-VDFN 裸露焊盘
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
3.7A(Ta)
系列 :
PowerTrench®
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
2.5V,4.5V

采购与价格

您可能在找

推荐产品