产品概览
- 产品型号
- FDD2670
- 现有数量
- 2,500
- 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管 - FET，MOSFET - 单
- 产品描述
- MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
文档与媒体
- 数据列表
- FDD2670
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs（最大值） :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :
- 4.5V @ 250µA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :
- 130 毫欧 @ 3.6A，10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :
- 1228pF @ 100V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :
- 43nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-252
- 功率耗散（最大值） :
- 3.2W（Ta），70W（Tc）
- 包装 :
- 剪切带（CT）
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 技术 :
- MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :
- 200V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :
- 3.6A（Ta）
- 系列 :
- PowerTrench®
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :
- 10V
