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SISH108DN-T1-GE3

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±16V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4.9 毫欧 @ 22A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

30nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

PowerPAK® 1212-8SH

功率耗散（最大值） :

1.5W（Ta）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

PowerPAK® 1212-8SH

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

14A（Ta）

系列 :

TrenchFET® Gen II

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V