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SISH615ADN-T1-GE3

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 沟道

Vgs（最大值） :

±12V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4.4 毫欧 @ 20A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

5590pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

183nC @ 10V

供应商器件封装 :

PowerPAK® 1212-8SH

功率耗散（最大值） :

3.7W（Ta），52W（Tc）

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

PowerPAK® 1212-8SH

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

22,1A（Ta）, 35A（Tc）

系列 :

TrenchFET® Gen III

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

2.5V，10V