产品概览

产品型号
SI4812BDY-T1-GE3
现有数量
2,357
制造商
Vishay Siliconix
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

文档与媒体

数据列表
SI4812BDY-T1-GE3

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
3V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
16 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
13nC @ 5V
供应商器件封装 :
8-SO
功率耗散(最大值) :
1.4W(Ta)
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
7.3A(Ta)
系列 :
LITTLE FOOT®
零件状态 :
停產
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V

采购与价格