数据列表

RQ6E085BNTCR

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

14.4 毫欧 @ 8.5A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1350pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

32.7nC @ 10V

供应商器件封装 :

SOT-457

功率耗散（最大值） :

1.25W（Tc）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-74，SOT-457

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

8.5A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V