产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IPAN70R900P7SXKSA1
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±16V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 3.5V @ 60µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 900 毫欧 @ 1.1A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 211pF @ 400V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 6.8nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO220 整包
- 功率耗散(最大值) :
- 17.9W(Tc)
- 包装 :
- 管件
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3 整包
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 700V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 6A(Tc)
- 系列 :
- CoolMOS™ P7
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与价格
您可能在找
- IPAN50R500CEXKSA1 ¥7.75
- IPAN60R650CEXKSA1 ¥4.81
- IPAN60R800CEXKSA1 ¥7.43
- IPAN65R650CEXKSA1 ¥8.85
- IPAN70R360P7SXKSA1 ¥5.63
推荐产品
- IPAN50R500CEXKSA1 ¥7.75
- IPAN60R650CEXKSA1 ¥4.81
- IPAN60R800CEXKSA1 ¥7.43
- IPAN65R650CEXKSA1 ¥8.85
- IPAN70R360P7SXKSA1 ¥5.63