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BSM180C12P2E202

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

+22V，-6V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 35.2mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

20000pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

模块

功率耗散（最大值） :

1360W（Tc）

包装 :

托盘

安装类型 :

底座安装

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

175°C（TJ）

技术 :

SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss） :

1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

204A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-