产品概览

产品型号
FDWS9509L-F085
现有数量
580
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
PMOS PWR56 40V 8 MOHM

文档与媒体

数据列表
FDWS9509L-F085

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
P 沟道
Vgs(最大值) :
±16V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
3V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
8 毫欧 @ 65A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
3360pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
67nC @ 10V
供应商器件封装 :
8-DFN(5.1x6.3)
功率耗散(最大值) :
107W(Tj)
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-PowerTDFN
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
65A(Tc)
系列 :
汽车级,AEC-Q101,PowerTrench®
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V