产品概览

产品型号
SI7434ADP-T1-RE3
现有数量
9
制造商
Vishay Siliconix
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

文档与媒体

数据列表
SI7434ADP-T1-RE3

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
150 毫欧 @ 3.7A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
600pF @ 125V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
16.5nC @ 10V
供应商器件封装 :
PowerPAK® SO-8
功率耗散(最大值) :
5W(Ta),54.3W(Tc)
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
PowerPAK® SO-8
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
3.7A(Ta),12.3A(Tc)
系列 :
ThunderFET®
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
7.5V,10V