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SISH129DN-T1-GE3

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.8V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

11.4 毫欧 @ 14.4A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

3345pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

71nC @ 10V

供应商器件封装 :

PowerPAK® 1212-8SH

功率耗散（最大值） :

3.8W（Ta），52.1W（Tc）

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

PowerPAK® 1212-8SH

工作温度 :

-50°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

14.4A（Ta），35A（Tc）

系列 :

TrenchFET®

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V