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SSM3K15CT(TPL3)

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.5V @ 100µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

7.8pF @ 3V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

CST3

功率耗散（最大值） :

100mW（Ta）

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-101，SOT-883

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

100mA（Ta）

系列 :

π-MOSVI

零件状态 :

预定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

2.5V，4V