产品概览

产品型号
IXFH16N60P3
现有数量
580
制造商
IXYS
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

文档与媒体

数据列表
IXFH16N60P3

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
5V @ 1.5mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
470 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
1830pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
36nC @ 10V
供应商器件封装 :
TO-247
功率耗散(最大值) :
347W(Tc)
包装 :
管件
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
16A(Tc)
系列 :
HiPerFET™
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V

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