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IRF6628TR1PBF

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.35V @ 100µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

2.5 毫欧 @ 27A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

3770pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

47nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

DIRECTFET™ MX

功率耗散（最大值） :

2.8W（Ta），96W（Tc）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

DirectFET™ 等容 MX

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

27A（Ta），160A（Tc）

系列 :

HEXFET®

零件状态 :

停產

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V