产品概览

产品型号
IPI100P03P3L-04
现有数量
580
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3

文档与媒体

数据列表
IPI100P03P3L-04

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
P 沟道
Vgs(最大值) :
+5V,-16V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
2.1V @ 475µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
4.3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
9300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
200nC @ 10V
供应商器件封装 :
PG-TO262-3
功率耗散(最大值) :
200W(Tc)
包装 :
管件
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
100A(Tc)
系列 :
OptiMOS™
零件状态 :
停產
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
4.5V,10V