数据列表

TPCC8009,LQ(O

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3V @ 200µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

7 毫欧 @ 12A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1270pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

26nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-TSON Advance（3.3x3.3）

功率耗散（最大值） :

-

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

24A（Ta）

系列 :

U-MOSIV

零件状态 :

停產

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

-