数据列表

2N6768T1

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

400 毫欧 @ 14A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

110nC @ 10V

供应商器件封装 :

TO-254AA

功率耗散（最大值） :

4W（Ta），150W（Tc）

包装 :

散装

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-254-3，TO-254AA（直引线）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

400V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

14A（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V