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BSM180D12P2C101

FET 功能 :

碳化硅 （SiC）

FET 类型 :

2 个 N 通道（半桥）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 35.2mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

23000pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

模块

功率 - 最大值 :

1130W

包装 :

散装

安装类型 :

-

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

204A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售