产品概览

产品型号
FDC8602
现有数量
3,000
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

文档与媒体

数据列表
FDC8602

产品详情

FET 功能 :
标准
FET 类型 :
2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
350 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
70pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
2nC @ 10V
供应商器件封装 :
SuperSOT™-6
功率 - 最大值 :
690mW
包装 :
带卷(TR)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss) :
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
1.2A
系列 :
PowerTrench®
零件状态 :
在售

采购与价格

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