数据列表

QS8J1TR

FET 功能 :

逻辑电平门

FET 类型 :

2 个 P 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

29 毫欧 @ 4.5A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

2450pF @ 6V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

31nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

TSMT8

功率 - 最大值 :

1.5W

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

4.5A

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計