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EM6K7T2CR

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

25pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

EMT6

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

200mA（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

在售