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QS8M13TCR

FET 功能 :

逻辑电平门

FET 类型 :

N 和 P 沟道

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

28 毫欧 @ 6A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

390pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

5.5nC @ 5V

供应商器件封装 :

TSMT8

功率 - 最大值 :

1.5W

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

6A，5A

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計