数据列表

CSD85302L

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 N 沟道（双）共漏

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

-

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

7.8nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

4-Picostar（1.31x1.31）

功率 - 最大值 :

1.7W

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

4-XFLGA

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

-

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

-

系列 :

NexFET™

零件状态 :

在售