数据列表

SIZ988DT-T1-GE3

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

7.5 毫欧 @ 10A, 10V, 4.1 毫欧 @ 19A, 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-PowerPair®

功率 - 最大值 :

20.2W，40W

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerWDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

40A（Tc），60A（Tc）

系列 :

TrenchFET®

零件状态 :

在售