产品概览
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- 数据列表
- EPC2100
产品详情
- FET 功能 :
- GaNFET(氮化镓)
- FET 类型 :
- 2 个 N 通道(半桥)
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 8.2 毫欧 @ 25A,5V,2.1 毫欧 @ 25A,5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 475pF @ 15V,1960pF @ 15V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 4.9nC @ 15V,19nC @ 15V
- 供应商器件封装 :
- 模具
- 功率 - 最大值 :
- -
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 模具
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 10A(Ta),40A(Ta)
- 系列 :
- eGaN®
- 零件状态 :
- 在售