数据列表

EPC2100

FET 功能 :

GaNFET（氮化镓）

FET 类型 :

2 个 N 通道（半桥）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

475pF @ 15V，1960pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

4.9nC @ 15V，19nC @ 15V

供应商器件封装 :

模具

功率 - 最大值 :

-

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

模具

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

10A（Ta），40A（Ta）

系列 :

eGaN®

零件状态 :

在售