产品概览

产品型号
DMN3035LWN-7
现有数量
2,870
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

文档与媒体

数据列表
DMN3035LWN-7

产品详情

FET 功能 :
标准
FET 类型 :
2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
2V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
35 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
399pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
9.9nC @ 10V
供应商器件封装 :
V-DFN3020-8
功率 - 最大值 :
770mW
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-PowerVDFN
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss) :
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
5.5A
系列 :
-
零件状态 :
在售