产品概览

产品型号
DMN2023UCB4-7
现有数量
580
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

文档与媒体

数据列表
DMN2023UCB4-7

产品详情

FET 功能 :
标准
FET 类型 :
2 N 沟道(双)共漏
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
1.3V @ 1mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
3333pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
37nC @ 4.5V
供应商器件封装 :
X1-WLB1818-4
功率 - 最大值 :
1.45W
包装 :
带卷(TR)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
4-XFBGA,WLBGA
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss) :
24V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
6A(Ta)
系列 :
汽车级,AEC-Q101
零件状态 :
在售

采购与价格

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