产品概览

产品型号
DMN2008LFU-7
现有数量
580
制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品描述
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

文档与媒体

数据列表
DMN2008LFU-7

产品详情

FET 功能 :
标准
FET 类型 :
2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
1.5V @ 250A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
5.4 毫欧 @ 5.5A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
1418pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
42.3nC @ 10V
供应商器件封装 :
U-DFN2030-6(B 类)
功率 - 最大值 :
1W
包装 :
带卷(TR)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
6-UFDFN 裸露焊盘
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss) :
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
14.5A
系列 :
-
零件状态 :
在售

采购与价格

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