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VQ1006P-E3

FET 功能 :

逻辑电平门

FET 类型 :

4 个 N 通道

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4.5 欧姆 @ 1A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

60pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

14-DIP

功率 - 最大值 :

2W

包装 :

管件

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

-

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

90V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

400mA

系列 :

-

零件状态 :

停產