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NVMFD5C478NLT1G

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.2V @ 20µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

14.5 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

420pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

8.1nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

功率 - 最大值 :

3.1W（Ta），23W（Tc）

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

10.5A（Ta），29A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售