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SI3585CDV-T1-GE3

FET 功能 :

逻辑电平门

FET 类型 :

N 和 P 沟道

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

58 毫欧 @ 2.5A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

150pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

4.8nC @ 10V

供应商器件封装 :

6-TSOP

功率 - 最大值 :

1.4W，1.3W

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

3.9A，2.1A

系列 :

TrenchFET®

零件状态 :

在售