数据列表

SH8K26GZ0TB

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

38 毫欧 @ 6A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

280pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

2.9nC @ 5V

供应商器件封装 :

8-SOP

功率 - 最大值 :

2W（Ta）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

6A（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

在售