产品概览
- 产品型号
- AON5820
- 现有数量
- 580
- 产品描述
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
文档与媒体
- 数据列表
- AON5820
产品详情
- FET 功能 :
- 逻辑电平门
- FET 类型 :
- 2 N 沟道(双)共漏
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 1V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 9.5 毫欧 @ 10A,4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 1510pF @ 10V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 15nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- 6-DFN-EP(2x5)
- 功率 - 最大值 :
- 1.7W
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 6-SMD,扁平引线裸焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 10A
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售