数据列表

CSD86356Q5D

FET 功能 :

逻辑电平栅极，5V 驱动

FET 类型 :

2 个 N 通道（半桥）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

8-VSON-CLIP（5x6）

功率 - 最大值 :

12W（Ta）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

40A（Ta）

系列 :

NexFET™

零件状态 :

在售