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GWM120-0075X1-SLSAM

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

6 N-沟道（3 相桥）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

4V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

4.9 毫欧 @ 60A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

115nC @ 10V

供应商器件封装 :

ISOPLUS-DIL™

功率 - 最大值 :

-

包装 :

管件

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

17-SMD，扁平引线

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

110A

系列 :

-

零件状态 :

停產